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中頻爐可控硅燒硅原因
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中頻爐可控硅燒硅原因

廠家:中頻爐可控硅燒硅原因 日期::2020-02-22 瀏覽次數(shù): 92
在中頻爐運(yùn)行之中,可控硅是一個(gè)比較脆弱的單元,很容易出現(xiàn)故障的部件,甚至?xí)?jīng)常的燒壞,這大大沖擊了工作效率和影響進(jìn)度。如果要找故障的內(nèi)因,需留意之中頻爐的保障維修注意事項(xiàng)。接下來(lái),洛陽(yáng)萬(wàn)峰工業(yè)爐小編就為大家講解一下之中頻爐燒硅的因素。

一 中頻爐可控硅燒損原因
1 大量的水垢
中頻爐工作中,有時(shí)觀察水熱套出水位和水壓是符合要求了,但往往由于水體難題,套壁之上有一層水垢。由于水垢是一種導(dǎo)熱性少的粒子,雖然有充足的流速,但由于水垢的隔絕活性使其冷卻性能大大降低。

2 接觸不良
中頻爐運(yùn)行時(shí),當(dāng)通道聯(lián)絡(luò)線(xiàn)接觸不良或斷路時(shí),當(dāng)功率升起到一定值,會(huì)造成打火效應(yīng),設(shè)備不能平穩(wěn)運(yùn)行,從而引發(fā)裝置的保障姿勢(shì)。有時(shí),由于打火,晶閘管兩端會(huì)造成瞬時(shí)過(guò)電流。如果過(guò)壓保障未能保護(hù),晶閘管電路就會(huì)焚毀。這種效應(yīng)往往同時(shí)爆發(fā)過(guò)電流、過(guò)電壓的故障。

3 對(duì)地打火
電壓元件導(dǎo)電減少,造成電壓對(duì)地間打火,干擾脈沖觸發(fā)時(shí)間段或在晶閘管兩端產(chǎn)生高壓,燒壞可控硅電路。

4 中頻電源電壓過(guò)高
瞬時(shí)逆向毛刺電流被電壓電容器吸取。如果吸取元件之中的電壓和電容器瞬時(shí)逆向毛刺電流將過(guò)高,燒壞可控硅。

5 逆變脈沖
中頻爐如果在運(yùn)行中,丟失觸發(fā)脈沖導(dǎo)致逆變開(kāi)路,中頻電源的輸出端將造成高壓,可控硅電路將被焚毀。這種失靈通常是逆變脈沖產(chǎn)生和輸出電路故障,可以用示波器檢驗(yàn),或逆變脈沖引線(xiàn)接觸不良,用手搖晃導(dǎo)體插頭,找出失靈方位。

6 負(fù)載問(wèn)題
中頻爐大功率運(yùn)行,如果負(fù)載在開(kāi)路時(shí),則在輸出端會(huì)產(chǎn)生一個(gè)高壓燒壞的可控硅電路。

7 短路
同樣是在中頻爐大功率運(yùn)行時(shí),如果負(fù)載在短路狀態(tài),會(huì)對(duì)可控硅造成較大的電流沖擊。如果保護(hù)裝置不足以保障,可控硅電路將被焚毀。

8 保護(hù)裝置失靈
中頻爐變流器與否安全性主要通過(guò)通報(bào)保障裝置來(lái)確保。如果保障裝置爆發(fā)失靈,裝置實(shí)習(xí)稍有異常,就會(huì)危害可控硅的安全性。因此,在變流器燒壞時(shí),有適當(dāng)對(duì)保障裝置展開(kāi)檢驗(yàn)。

9 冷卻系統(tǒng)故障
可控硅在工作之中造成大量熱能。需冷卻以保證穩(wěn)定工作。通常而言,可控硅的冷卻有兩種方法︰水冷和風(fēng)冷。如果冷卻系統(tǒng)出現(xiàn)問(wèn)題,那么會(huì)導(dǎo)致可控硅的燒硅。

10 電抗器打火
中頻爐電抗器內(nèi)部打火導(dǎo)致逆變輸入端產(chǎn)生高壓燒壞可控硅,如果電抗器的電感量等參數(shù)不符合要求,也會(huì)因無(wú)限量作用而讓可控硅被燒。

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